钒氧双空位工程增强BiVO4光催化降解胺类表面活性剂:机理与性能研究
《Sustainable Materials and Technologies》:In-situ engineered V and O dual-defect mediated charge transport in BiVO
4 for enhanced photocatalytic removal of amine surfactants: amplifying internal electric field, accelerating carrier dynamics, and mechanistic insights
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时间:2025年10月19日
来源:Sustainable Materials and Technologies 9.2
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本文创新性地提出了一种原位构建钒(V)和氧(O)双空位的BiVO4光催化剂(BVO-V/O),通过协同增强内建电场(IEF)和加速载流子动力学,显著提升了其对胺类表面活性剂(如ODA和DMP)的光催化降解效率,为设计高效环境修复材料提供了新策略。
双空位设计超越了单一空位的局限性,通过编程O空位和V空位来发挥互补作用。O空位主要作为浅层施主来提高载流子浓度和体相电荷传输,而V空位则被设计用于调节局域配位环境、产生强大的内建电场(IEF)以实现空间电荷分离,并富集表面活性位点以增强界面反应动力学。这种协同作用旨在比任何一种空位单独作用更有效地抑制复合。
如图2a所示,样品粉末的X射线衍射(XRD)图谱与正交单斜白钨矿相BVO(s-m)结构(PDF-No.00–014-0688)一致,没有形成BVO的四方锆石相(z-t)(PDF-No.00–014-0133)。BVO、BVO-V和BWO-O的XRD谱图没有显示出显著变化,表明V和O空位的引入对晶体结构没有影响。值得注意的是,在XRD谱图中没有检测到Bi金属或任何其他杂质相的产生。
总之,我们通过结合还原和蚀刻过程的一步水热法,成功地在钒酸铋中引入了V和O双空位结构。这种创新的空位工程策略使得V和O双空位材料BVO-V/O与原始BVO相比,带隙降低了0.21 eV,内建电场(IEF)强度增加了1.73倍,电荷分离效率达到89.70%,而原始BVO仅为57.14%。在光催化过程中,BVO-V/O对ODA和DMP的降解速率分别是原始BVO的3.48倍和3.22倍。这项工作为BiVO4中可控的O和V空位耦合策略提供了示范,并为其协同增强机制提供了直接的实验和理论证据。
CRediT authorship contribution statement
Liang Ma: 撰写初稿,方法论,研究,形式分析,数据整理。 Siyuan Zhang: 审阅与编辑,撰写初稿,可视化,监督,软件,方法论,研究,形式分析。 Sarina Sarina: 验证。 Xiushen Ye: 监督,资源。 Zhongmei Song: 方法论,形式分析。 Chunyan Wang: 方法论,形式分析。 Haining Liu: 项目管理,资金获取。
Declaration of competing interest
作者声明,他们没有已知的竞争性财务利益或个人关系,这些利益或关系可能影响本报告所呈现的工作。
本工作得到了国家自然科学基金(项目编号U24A20551);青海省科技计划(国际合作专项,2025-HZ-803);青海省昆仑人才计划的支持。
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