铌基氧化铋铁电子材料的制备、表征及器件性能研究

《Innovative Food Science & Emerging Technologies》:Processing, characterization and device performance study of niobium based bismuth ferrous oxide electronic material

【字体: 时间:2025年11月19日 来源:Innovative Food Science & Emerging Technologies 6.8

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  本研究采用固相合成法制备铌掺杂铋铁氧体陶瓷Bi(Fe2/3Nb1/3)O3,通过XRD、SEM和EDAX分析其结构和形貌,发现材料具有稳定的晶体结构、低缺陷密度和优异的介电性能(ε=123.5,tanδ=0.08)。经交流电导率和介电响应测试,证实其具有宽温度响应范围(-50°C至250°C)和低损耗特性,适用于高精度温度传感器设计。

  本文探讨了一种新型的铁电材料——铌掺杂的铋铁氧体陶瓷材料Bi(Fe?/?Nb?/?)O?的制备与性能研究。铁电材料因其在电子设备中的广泛应用而备受关注,尤其是在需要高灵敏度、宽工作温度范围以及在恶劣环境中保持稳定响应的应用中。然而,传统铁电材料如铋铁氧体(BiFeO?)在实际应用中仍面临一些挑战,包括较高的漏电流、结构不稳定性以及较低的电阻导致的电性能下降。因此,研究者们致力于开发一种改进的铁电陶瓷材料,通过掺杂和结构调控,提升其电性能和应用潜力。

研究采用了混合氧化物合成法来制备这种新型材料,这种方法能够有效控制材料的组成和结构。通过精确地选取Bi?O?、FeO和Nb?O?的氧化物粉末,并按照化学计量比进行混合,研究者们利用干磨和湿磨的方式对原料进行处理,确保其均匀性和可加工性。随后,这些粉末在高温炉中进行煅烧,以形成具有特定晶体结构的陶瓷材料。整个制备过程的设计充分考虑了材料的物理和化学特性,以实现最佳的性能表现。

在材料的结构分析方面,研究者们通过X射线衍射(XRD)技术对Bi(Fe?/?Nb?/?)O?进行了详细的研究。XRD图谱显示了材料的晶体结构,与已知的文献数据一致,表明其具有良好的晶体排列和结构稳定性。通过软件分析,研究者们能够准确地识别XRD图谱中的各个峰,并验证其与标准数据的匹配程度。这一过程不仅揭示了材料的晶格结构,还为后续的性能研究提供了基础。

材料的表面形态分析则通过扫描电子显微镜(SEM)进行。SEM图像显示了材料的微观结构,揭示了其表面的粗糙度和颗粒分布情况。这些信息对于理解材料的电性能和机械性能具有重要意义。此外,研究者们还使用能量色散X射线光谱(EDAX)对材料的化学组成进行了分析,确认了其元素分布是否符合预期,以及是否存在杂质元素的影响。

在电性能方面,研究者们对Bi(Fe?/?Nb?/?)O?的介电特性、电导率、电滞现象以及非德拜型弛豫行为进行了深入研究。通过交流阻抗分析和电容-温度关系曲线(C-T曲线),研究者们发现该材料在不同频率和温度条件下表现出显著的电性能变化。这些变化表明,材料的电导率和介电性能对温度和频率具有一定的依赖性,从而为材料在温度传感器中的应用提供了理论依据。

为了进一步理解材料的电导机制,研究者们应用了Jonscher的通用幂律模型来表征材料的交流电导率。该模型能够有效描述材料在不同频率下的电导行为,表明材料的电导率主要来源于短程电荷载流子跳跃。这一机制的揭示有助于优化材料的电性能,使其在特定的应用条件下表现更佳。

此外,研究还关注了材料的结构稳定性。通过XRD和SEM分析,研究者们发现该材料具有较低的孔隙率和较高的结构稳定性,这表明其在高温和恶劣环境中能够保持良好的性能。同时,材料的介电常数较高,而介电损耗较低,进一步增强了其在电子设备中的应用潜力。

研究的成果表明,通过掺杂铌离子,Bi(Fe?/?Nb?/?)O?材料在电性能和结构稳定性方面得到了显著提升。这种材料不仅具有较低的电导率和介电损耗,还表现出良好的温度稳定性,使其成为一种理想的电容元件,可用于温度传感器的设计和开发。此外,材料的制备成本较低,且不含有害物质,符合环保和可持续发展的要求。

在研究过程中,研究者们还探讨了材料的潜在应用。例如,该材料可以用于制造高灵敏度的温度传感器,适用于需要在高温环境中工作的电子设备。由于其良好的电性能和结构稳定性,该材料在各种电子应用中表现出色,如热敏电阻、太阳能电池、电子元件和光学器件等。

总的来说,本文的研究为开发新型的铁电陶瓷材料提供了重要的理论和实验基础。通过混合氧化物合成法和结构调控,研究者们成功制备了一种具有优异电性能和结构稳定性的材料,为未来在电子设备和传感器领域的应用奠定了坚实的基础。这一研究不仅有助于提升现有材料的性能,还为开发新型材料提供了新的思路和方法。
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