镍/钴硒化物插层石墨的钠存储性能优化机制及电化学行为研究

【字体: 时间:2025年06月09日 来源:Journal of Energy Storage 8.9

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  为解决石墨在钠离子电池(SIBs)中容量受限的问题,研究人员通过气相插层-水热法合成镍/钴硒化物插层石墨复合材料(NiSe2 -GIC/CoSe2 -GIC)。系统探究金属盐类型(NiCl2 /Co(NO3 )2 )和温度(800°C)对插层行为的影响,获得282.2 mAh g?1 的高初始放电容量,为高容量SIBs负极材料设计提供新思路。

  

随着全球能源结构转型,钠离子电池(SIBs)因钠资源丰富、成本低廉被视为下一代规模储能技术。然而,钠离子较大的水合半径(1.02 ?)导致其在传统石墨负极中扩散能垒高、容量低(仅35 mAh g?1
)。虽然醚基电解质通过溶剂共插层机制提升了石墨性能,但固有层间距(0.335 nm)仍限制容量突破。过渡金属硒化物(TMSs)虽具高理论容量(NiSe2
达495 mAh g?1
),但充放电过程中的体积膨胀易致结构坍塌。针对这一矛盾,陕西科技大学团队创新性地提出将TMSs插层石墨的策略,通过《Journal of Energy Storage》发表研究揭示了金属盐类型与温度对插层行为的调控规律。

研究采用气相插层结合水热硒化的关键技术:1) 不同镍/钴盐(NiCl2
/Co(NO3
)2
等)与天然石墨混合后在Ar气氛下梯度升温(100-1000°C)实现金属插层;2) 通过二丁胺辅助水热法将Se2?
转化为金属硒化物;3) 采用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)表征层间距变化;4) 通过恒电流充放电测试评估倍率性能。

【Results and discussion】

  1. 金属盐筛选实验表明:NiCl2
    和Co(NO3
    )2
    因阴离子尺寸小、扩散势垒低,在800°C时插层效率最高,使石墨层间距从0.335 nm扩展至0.465 nm;2) 温度依赖性研究发现:低于800°C时金属离子迁移不充分,高于800°C则导致石墨结构破坏;3) 电化学测试显示:NiCl2
    /Se-800°C在10C倍率下初始放电容量达282.2 mAh g?1
    ,较原始石墨(184.7 mAh g?1
    )提升52.7%,且循环100次后容量保持率超90%。

【Conclusions】该研究阐明金属盐阴离子类型通过影响插层动力学决定GIC性能,其中NiCl2
因Cl?
的弱配位能力更易解离出Ni2+
,而Co(NO3
)2
的NO3
?
在高温分解产生氧化性气氛促进插层。优化的800°C处理温度平衡了金属离子迁移与结构稳定性。所制备的TMSs-GIC兼具石墨的导电网络和硒化物的高容量特性,为发展"插层-合金化"双机制协同的SIBs负极材料奠定基础。

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